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JAN1N4500

更新时间: 2024-01-19 07:24:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

JAN1N4500 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.35
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.3 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/403
最大反向恢复时间:0.006 µs表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JAN1N4500 数据手册

  

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完全替代

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