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J106

更新时间： 2024-01-28 22:17:58

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N 沟道开关

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J106 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.7
配置：	SINGLE	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	35 pF
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

J106 数据手册

Typical Performance Characteristic

500

400

300

200

100

350

T_A= 25 ^o

V_GS(off)= -4.5 V max

T_A= 25 ^o

V_GS(off)= -4.5 V max

V_GS= -0.2 V

V_GS= -0.1 V

V_GS= 0 V

300

250

200

150

100

V_GS= 0 V

V_GS= -1 V

V_GS= -0.4 V

V_GS= -0.5 V

V_GS= -0.3 V

V_GS= -2 V

0.00

0.25

0.50

0.75

1.00

1.25

1.50

1.75

2.00

Drain-Source Voltage, V_DS[V]

Drain-Source Volatage, V_DS[V]

Figure 1. Common Drain-Source Characteristics

Figure 2. Common Drain-Source Characteristics

Figure 4. Capacitance vs. Voltage

Figure 3. Parameter Interactions

Figure 6. On Resistance vs. Drain Current

Figure 5. Normalized Drain Resistance vs.

Bias Voltage

J105 / J106 / J107 Rev. 1.1.1

www.fairchildsemi.com

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