2SA1357

更新时间： 2024-02-20 16:04:28

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	106K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SA1357 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.73	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	10 W	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SA1357 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SA1357

DESCRIPTION

·High Collector Current-I_C= -5.0A

·DC Current Gain-

: h_FE= 70(Min)@I_C= -4A

·Low Saturation Voltage

: V_CE(sat)= -1.0V(Max)@I_C= -4A

APPLICATIONS

·Strobe flash applications.

·Audio power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

-35

-20

-8

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

Base Current-Continuous

-5

I_CP

-8

I_B

-1

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.5

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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