5秒后页面跳转

Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2N6477

2N6477 PDF预览

2N6477

更新时间： 2024-02-15 12:16:30

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
3页	121K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6477 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.82
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	TIN LEAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2N6477 数据手册

浏览型号2N6477的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号2N6477的Datasheet PDF文件第3页

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6477 2N6478

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Low collector saturation voltage

·High voltage ratings

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·Series and shunt regulators

·High-fidelity amplifiers

·Power switching circuits

·Solenoid drivers

PINNING

PIN

1

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

2

3

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

140

160

120

140

5

UNIT

2N6477

2N6478

2N6477

2N6478

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V

V_CEO

Collector-emitter voltage

V

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

V

A

2.5

Collector current-peak

Base current

4

A

1

A

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

50

W

℃

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance from junction to case

MAX

UNIT

R_{th j-c}

2.5

℃/W

12 3

下载PDF

与2N6477相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6477-6200	RENESAS	2.5A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
2N6477-6226	RENESAS	2.5A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
2N6477-6255	RENESAS	2.5A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
2N6477-6258	RENESAS	Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla	获取价格
2N6477-6265	RENESAS	Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla	获取价格
2N6477-DR6259	RENESAS	Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla	获取价格

与2N6477相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证