2N5496

更新时间： 2024-01-08 15:31:02

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	121K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5496 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	70 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	0.8 MHz
Base Number Matches：	1

2N5496 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors 2N5490 2N5492 2N5494 2N5496

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High power dissipation

APPLICATIONS

·For used in medium power and

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5490/5494

2N5492

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

2N5496

2N5490/5494

2N5492

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

2N5496

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_B

Base current

P_T

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance from junction to case

2.5

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5496LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
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