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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 子类别： | FET General Purpose Small Signal | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5522 | INTERSIL |
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DUAL N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER |
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| 2N5522 | NJSEMI |
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LOW FREQUENCY-LOW NOISE DUAL JFETS |
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| 2N5523 | NJSEMI |
获取价格 |
LOW FREQUENCY-LOW NOISE DUAL JFETS |
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| 2N5523 | INTERSIL |
获取价格 |
DUAL N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER |
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| 2N5524 | INTERSIL |
获取价格 |
DUAL N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER |
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| 2N5524 | NJSEMI |
获取价格 |
LOW FREQUENCY-LOW NOISE DUAL JFETS |
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| 2N5525 | TI |
获取价格 |
200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N5526 | TI |
获取价格 |
200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2N5527 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
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| 2N5529 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
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