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IS41C44004-50TI

更新时间： 2024-01-04 05:11:55

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19页	159K
描述
x4 EDO Page Mode DRAM

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IS41C44004-50TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2-24
针数：	24	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
JESD-609代码：	e0	长度：	17.14 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP24/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm

IS41C44004-50TI 数据手册

IS41C4400X

IS41LV4400X SERIES

ISSI

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

CONTROL

LOGICS

CONTROL

LOGIC

CAS

CONTROL

LOGIC

CAS

RAS

CAS

DATA I/O BUS

RAS

CLOCK

GENERATOR

COLUMN DECODERS

SENSE AMPLIFIERS

REFRESH

COUNTER

I/O0-I/O3

MEMORY ARRAY

4,194,304 x 4

ADDRESS

BUFFERS

A0-A10(A11)

TRUTHTABLE

Function

Standby

Read

Write: Word (Early Write)

Read-Write

RAS

CAS

Address tR/tC

I/O

High-Z

DOUT

ROW/COL

DIN

H→L

L→H

DOUT, DIN

EDO Page-Mode Read

1st Cycle:

2nd Cycle:

H→L

ROW/COL

NA/COL

DOUT

EDO Page-Mode Write

1st Cycle:

2nd Cycle:

H→L

ROW/COL

NA/COL

DIN

EDO Page-Mode

Read-Write

1st Cycle:

2nd Cycle:

H→L

L→H

ROW/COL

NA/COL

DOUT, DIN

Hidden Refresh

Read

L→H→L

ROW/COL

DOUT

Write⁽¹⁾

RAS-Only Refresh

CBR Refresh

ROW/NA

High-Z

H→L

Note:

1. EARLY WRITE only.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. C

09/29/00

123 4 5 6 7...19

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