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IRS2011

更新时间： 2024-02-09 01:16:56

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IRS2011 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.3
内置保护：	TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出电流流向：	SINK	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	15 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
子类别：	MOSFET Drivers	最大供电电压：	20 V
最小供电电压：	10 V	标称供电电压：	15 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
断开时间：	0.08 µs	接通时间：	0.08 µs
宽度：	3.9 mm

Application Note AN-1097

IRS2011 and IR2011 Comparison

By Jason Nguyen, Min Fang, David New

Table of Contents

Page

Introduction ..........................................................................................1

Block Diagram......................................................................................2

Electrical Characteristic Differences.....................................................3

Figures .................................................................................................3

Summary..............................................................................................9

Introduction

The IRS2011 is a new HVIC product that replaces the IR2011 and is pin-to-pin compatible

with its predecessor. This application note describes the various differences between the

IRS2011 and the IR2011 HVICs.

The IRS2011 is a high power, high speed power MOSFET driver with independent high

and low side referenced output channels, ideal for Class D Audio and DC-DC converter

applications. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to

3.0 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for

minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify its use in

high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel

power MOSFET in the high side configuration which operates up to 200 V. Proprietary

HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction.

AN-1097

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRS2011PBF	INFINEON	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	获取价格
IRS2011S	INFINEON	EiceDRIVER™ 200 V 高边和低边栅极驱动器 IC：适用于 IGBT 和 MO	获取价格
IRS2011SPBF	INFINEON	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	获取价格
IRS2011STRPBF	INFINEON	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	获取价格
IRS20124S	INFINEON	DIGITAL AUDIO DRIVER WITH DISCRETE DEAD-TIME AND PROTECTION	获取价格
IRS20124SPBF	INFINEON	Digital Audio Driver with Discrete Deadtime and Protection	获取价格