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IRS2011SPBF

更新时间： 2024-01-20 20:26:26

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英飞凌 - INFINEON		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
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HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IRS2011SPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.3
内置保护：	TRANSIENT; UNDER VOLTAGE	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出电流流向：	SINK	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	15 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
子类别：	MOSFET Drivers	最大供电电压：	20 V
最小供电电压：	10 V	标称供电电压：	15 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
断开时间：	0.08 µs	接通时间：	0.08 µs
宽度：	3.9 mm

IRS2011SPBF 数据手册

Data Sheet No.PD60221

IRS2011(S)PbF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Product Summary

Features

• Floating channel designed for bootstrap operation

• Fully operational up to +200 V

200 V max.

OFFSET

• Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

• Gate drive supply range from 10 V to 20 V

• Independent low-side and high-side channels

• Input logic HIN/LIN active high

I +/-

1.0 A /1.0 A typ.

10 V - 20 V

60 ns typ.

• Undervoltage lockout for both channels

• 3.3 V and 5 V input logic compatible

• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

• Matched propagation delay for both channels

• RoHS compliant

OUT

on/off

Delay Matching

20 ns max.

Applications

• Audio Class D amplifiers

• High power DC-DC SMPS converters

Packages

• DC motor drive

Description

The IRS2011 is a high power, high speed power MOSFET

driver with independent high and low-side referenced output

channels, ideal for Audio Class D and DC-DC converter appli-

cations. Logic inputs are compatible with standard CMOS or

LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a

IRS2011S

8-Lead SOIC

IRS2011

8-Lead PDIP

high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are

matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-

channel power MOSFET in the high-side configuration which operates up to 200 V. Proprietary HVIC and

latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction.

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Typical Connection

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(Refer to Lead Assignments for correct configuration). This diagram shows electrical connections only.

Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.

www.irf.com

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