Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> IR2010STRPBF

IR2010STRPBF

更新时间： 2024-01-17 01:23:05

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
Floating channel designed for bootstrap operation

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IR2010STRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	7.26
高边驱动器：	YES	接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	JESD-609代码：	e3
长度：	10.3 mm	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	16
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
标称输出峰值电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.65 mm
最大供电电压：	20 V	最小供电电压：	10 V
标称供电电压：	15 V	表面贴装：	YES
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
断开时间：	0.105 µs	接通时间：	0.135 µs
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

IR2010STRPBF 数据手册

Data Sheet No. PD60195-E

(S)(TR) & (PbF)

IR2010

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Product Summary

Features

· Floating channel designed for bootstrap operation

Fully operational to 200V

200V max.

Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

· Gate drive supply range from 10 to 20V

· Undervoltage lockout for both channels

· 3.3V logic compatible

OFFSET

I +/-

3.0A / 3.0A typ.

10 - 20V

Separate logic supply range from 3.3V to 20V

Logic and power ground ±5V offset

OUT

· CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

· Shut down input turns off both channels

· Matched propagation delay for both channels

· Outputs in phase with inputs

95 & 65 ns typ.

15 ns max.

on/off

Delay Matching

· Also available LEAD-FREE

Applications

Packages

· Audio Class D amplifiers

· High power DC-DC SMPS converters

· Other high frequency applications

Description

The IR2010 is a high power, high voltage, high speed power MOSFET and IGBT

drivers with independent high and low side referenced output channels, ideal for

Audio Class D and DC-DC converter applications. Logic inputs are compatible with

standard CMOS or LSTTL output, down to 3.0V logic. The output drivers feature a high

pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propaga-

tion delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating

channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side

configuration which operates up to 200 volts. Proprietary HVIC and latch immune

CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction.

14-Lead PDIP

16-Lead SOIC

200V

Typical Connection

V_DD

HIN

V_B

V_S

V_DD

HIN

LOAD

LIN

V_SS

V_CC

COM

LIN

V_SS

V_CC

(Refer to Lead Assignments for correct configuration). This/These diagram(s) show electrical connections

only. Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IR2011	INFINEON	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	获取价格
IR2011PBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
IR2011S	INFINEON	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	获取价格
IR2011SPBF	INFINEON	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	获取价格
IR20153S	INFINEON	HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE	获取价格
IR20153SPBF	INFINEON	HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE	获取价格

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