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IR2132J

更新时间： 2024-02-05 01:40:39
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英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路信息通信管理
页数 文件大小 规格书
26页 299K
描述
3-PHASE BRIDGE DRIVER

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IR2132J 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：MS-013AE, SOIC-28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：0.94
高边驱动器：YES接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e3
长度：17.9 mm湿度敏感等级：3
功能数量：3端子数量：28
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
标称输出峰值电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.65 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：20 V
最小供电电压：10 V标称供电电压：15 V
电源电压1-最大：620 V电源电压1-分钟：5 V
表面贴装：YES技术：BICMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：0.55 µs接通时间：0.85 µs
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

IR2132J 数据手册

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IR2130/IR2132(J)(S)&(PbF)  
Dynamic Electrical Characteristics  
V
BIAS  
(V , V  
CC BS1,2,3  
) = 15V, V  
= V , C = 1000 pF and T = 25°C unless otherwise specified. The dynamic  
S0,1,2,3  
SS  
L
A
electrical characteristics are defined in Figures 3 through 5.  
Symbol  
Definition  
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
t
t
Turn-On Propagation Delay  
Turn-Off Propagation Delay  
Turn-On Rise Time  
11  
12  
13  
14  
15  
—
16  
—
17  
18  
18  
19  
20  
500  
300  
—
675  
425  
80  
850  
550  
125  
55  
920  
—
on  
off  
V
= 0 & 5V  
IN  
t
r
t
f
V
= 0 to 600V  
S1,2,3  
Turn-Off Fall Time  
ITRIP to Output Shutdown Prop. Delay  
ITRIP Blanking Time  
—
400  
—
35  
t
660  
400  
590  
310  
9.0  
2.5  
0.8  
6.2  
3.2  
V
, V  
= 0 & 5V  
= 1V  
itrip  
IN  
IN  
IN  
ITRIP  
ns  
t
V
bl  
flt  
ITRIP  
t
ITRIP to FAULT Indication Delay  
Input Filter Time (All Six Inputs)  
LIN1,2,3 to FAULT Clear Time  
335  
—
845  
—
V
V
, V  
= 0 & 5V  
ITRIP  
t
t
V
IN  
= 0 & 5V  
flt,in  
fltclr  
6.0  
1.3  
0.4  
4.4  
2.4  
12.0  
3.7  
1.2  
—
, V  
= 0 & 5V  
ITRIP  
DT  
Deadtime  
(IR2130)  
(IR2132)  
µs  
V
IN  
= 0 & 5V  
SR+  
SR-  
Operational Amplifier Slew Rate (+)  
Operational Amplifier Slew Rate (-)  
V/µs  
—
NOTE: For high side PWM, HIN pulse width must be ≥ 1.5µsec  
Static Electrical Characteristics  
V
(V , V ) = 15V, V = V and T = 25°C unless otherwise specified. The V , V and I parameters  
BIAS CC BS1,2,3 S0,1,2,3 SS A IN TH IN  
are referenced to V and are applicable to all six logic input leads: HIN1,2,3 & LIN1,2,3. The V and I parameters  
SS  
O
O
are referenced to V  
and are applicable to the respective output leads: HO1,2,3 or LO1,2,3.  
S0,1,2,3  
Symbol  
Definition  
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
V
Logic “0” Input Voltage (OUT = LO)  
Logic “1” Input Voltage (OUT = HI)  
ITRIP Input Positive Going Threshold  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
2.2  
—
—
—
—
IH  
V
V
0.8  
580  
100  
100  
50  
IL  
V
400  
—
490  
—
IT,TH+  
V
OH  
High Level Output Voltage, V  
- VO  
V
V
= 0V, I = 0A  
O
mV  
BIAS  
IN  
IN  
V
Low Level Output Voltage, VO  
Offset Supply Leakage Current  
—
—
= 5V, I = 0A  
O
OL  
LK  
I
—
—
—
15  
V = V = 600V  
B S  
µA  
I
Quiescent V Supply Current  
30  
V
= 0V or 5V  
= 0V or 5V  
QBS  
QCC  
BS  
IN  
IN  
I
Quiescent V Supply Current  
—
3.0  
450  
225  
75  
4.0  
650  
400  
150  
100  
9.2  
mA  
V
CC  
I
Logic “1” Input Bias Current (OUT = HI)  
Logic “0” Input Bias Current (OUT = LO)  
“High” ITRIP Bias Current  
—
V
= 0V  
= 5V  
IN+  
IN  
IN  
I
IN-  
—
V
µA  
I
—
ITRIP = 5V  
ITRIP = 0V  
ITRIP+  
I
V
“Low” ITRIP Bias Current  
—
7.5  
—
8.35  
nA  
ITRIP-  
V
BS  
Supply Undervoltage Positive Going  
BSUV+  
Threshold  
Supply Undervoltage Negative Going  
Threshold  
V Supply Undervoltage Positive Going  
CC  
Threshold  
V Supply Undervoltage Negative Going  
CC  
V
V
BS  
34  
35  
36  
37  
7.1  
8.3  
8.0  
—
7.95  
9.0  
8.7  
55  
8.8  
9.7  
9.4  
75  
BSUV-  
V
V
CCUV+  
V
CCUV-  
Threshold  
Low On-Resistance  
R
on,FLT  
Ω
FAULT  
www.irf.com  
3
1234567...26

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