INA104

更新时间： 2024-02-03 00:47:03

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Very-High Accuracy INSTRUMENTATION AMPLIFIER

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INA104 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	HERMETIC SEALED, DIP-18	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
放大器类型：	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.03 µA
标称带宽 (3dB)：	0.3 MHz	最小共模抑制比：	80 dB
最大输入失调电流 (IIO)：	0.03 µA	最大输入失调电压：	225 µV
JESD-30 代码：	R-XDIP-P18	JESD-609代码：	e0
负供电电压上限：	-20 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
最大非线性：	0.012%	功能数量：	1
端子数量：	18	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP18,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	+-15 V
认证状态：	Not Qualified	标称压摆率：	0.4 V/us
子类别：	Instrumentation Amplifier	最大压摆率：	19.2 mA
供电电压上限：	20 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	NO	技术：	BIPOLAR
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压增益：	1000	最小电压增益：	1
Base Number Matches：	1

INA104 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

At T_A= +25°C, V_CC

15V, and in circuit of Figure 1, unless otherwise specified.

CMR vs SOURCE IMBALANCE

G = 100 - 1000

GAIN NONLINEARITY vs GAIN

0.01

120

100

G = 100 - 1000

G = 10

G = 1

0.003

Max

Typ

G = 1

0.001

60Hz

0.0003

100

Source Resistance Imbalance (kΩ)

Gain (V/V)

GAIN vs FREQUENCY

TOTAL OFFSET VOLTAGE DRIFT vs GAIN

3200

320

G = 1000

G = 100

G = 10

G = 1

1% Error

3.2

100

10k

100k

100

Frequency (Hz)

Gain (V/V)

GAIN ERROR vs FREQUENCY

CMR vs FREQUENCY

100%

10%

120

100

G = 100, 1000

G = 10

G = 1000

G = 1

Balanced

Source

G = 100

0.1%

0.01%

G = 1

G = 10

100

10k

100k

100

10k

Frequency (Hz)

INA104

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