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IM39-65608V-25

更新时间: 2024-01-16 05:51:19
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
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11页 557K
描述
x8 SRAM

IM39-65608V-25 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73最长访问时间:25 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IM39-65608V-25 数据手册

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