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IBM0436A4CBLBB-3P

更新时间： 2024-02-11 04:40:14

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	145K
描述
Standard SRAM, 128KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA153, BGA-153

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IBM0436A4CBLBB-3P 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA153,9X17,50	针数：	153
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	1.7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B153
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	153	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	128KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA153,9X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.679 mm
最大待机电流：	0.15 A	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.69 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IBM0436A4CBLBB-3P 数据手册

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IBM0418A8CBLBB IBM0436A8CBLBB

IBM0418A4CBLBB IBM0436A4CBLBB

Preliminary

8Mb (256Kx36 & 512Kx18) and 4Mb (128Kx36 & 256Kx18)

Features

• 8Mb: 256K x 36 or 512K x 18 Organizations

4Mb: 128K x 36 or 256K x 18 Organizations

• HSTL Input and Output levels

• Registered Addresses, Controls and Data Ins

• Burst Mode of operation

• CMOS Technology

• Double Data Rate and Single Data Rate Syn-

chronous Modes of Operation

• Common I/O

• Asynchronous Output Enable

• Pipeline Mode of Operation

• Boundary Scan using limited set of JTAG

1149.1 functions

• Self-Timed Late Write with Full Data Coherency

• Single Differential HSTL Clock

• 9 x 17 Bump Ball Grid Array Package with

SRAM JEDEC Standard Pinout and Boundary

SCAN Order

• +2.5V Power Supply, Ground, 1.9V V_DDQ, and

0.95V V_REF

• Programmable Impedance Output Drivers

• PBGA Package

Description

The IBM0436A4CBLBB, IBM0418A4CBLBB,

IBM0418A8CBLBB, and IBM0436A8CBLBB

clock, all Addresses, Controls, and Data Ins are reg-

istered internally. Data Outs are updated from out-

put registers off the next rising and falling edge of

the K clock, hence the Double Data Rate. Internal

Write buffers allow write data to follow one cycle

after addresses and controls. The chip is operated

with a single +2.5V power supply and is compatible

with HSTL I/O interfaces.

SRAMS are Synchronous Pipeline Mode, high-per-

formance CMOS Static Random Access Memories

that are versatile, have wide I/O, and achieve 3.0ns

cycle times. Differential CK clocks are used to ini-

tiate the read/write operation and all internal opera-

tions are self-timed. At the rising edge of the CK

cddrh2519.04

12/00

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IBM0436A4CXLBB-3	IBM	获取价格	Standard SRAM, 256KX36, 2ns, CMOS, PBGA153, BGA-153
IBM0436A81BLAB-3	IBM	获取价格	Standard SRAM, 256KX36, 1.7ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM0436A81DLAB-3	ETC	获取价格	SYNC SRAM\|256KX36\|CMOS\|BGA\|119PIN\|PLASTIC
IBM0436A81DLAB-3F	IBM	获取价格	Standard SRAM, 256KX36, 1.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM0436A81DLAB-4	ETC	获取价格	SYNC SRAM\|256KX36\|CMOS\|BGA\|119PIN\|PLASTIC
IBM0436A81DLAB-5	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IBM0436A81MLAB-3	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IBM0436A81MLAB-3F	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM
IBM0436A81MLAB-3N	ETC	获取价格	x36 Fast Synchronous SRAM

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