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HY57V561620T-I

更新时间： 2024-01-23 05:54:00

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其他 - ETC		动态存储器
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11页	91K
描述
16Mx16\|3.3V\|8K\|75\|SDR SDRAM - 256M

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HY57V561620T-I 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.3
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e6
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY57V561620T-I 数据手册

HY57V561620T

PIN CONFIGURATION

V DD

D Q 0

VDDQ

D Q 1

D Q 2

VSSQ

D Q 3

D Q 4

5 4

5 3

5 2

5 1

5 0

4 9

4 8

4 7

4 6

4 5

4 4

4 3

4 2

4 1

4 0

3 9

3 8

3 7

3 6

3 5

3 4

3 3

3 2

3 1

3 0

2 9

2 8

VS S

D Q 1 5

VSSQ

D Q 1 4

D Q 1 3

VDDQ

D Q 1 2

D Q 1 1

SSQ

DDQ

D Q 5

D Q 6

VSSQ

D Q 7

V DD

L D Q M

/W E

/C A S

/R A S

/C S

1 0

1 1

1 2

1 3

1 4

1 5

1 6

1 7

1 8

1 9

2 0

2 1

2 2

2 3

2 4

2 5

2 6

2 7

D Q 1 0

D Q 9

VDDQ

D Q 8

VS S

5 4pin TSOP II

400 mil x 875mil

0.8 mm pin pitch

UDQM

C L K

C K E

A12

A11

A 9

BA0

BA1

A10/AP

A 0

A 8

A 7

A 1

A 6

A 2

A 5

A 3

A 4

V DD

VS S

PIN DESCRIPTION

P I N N A M E

D E S C R I P T I O N

The system clock input. All other inputs are registered to the SDRAM on the

rising edge of CLK

C L K

C l o c k

Controls internal clock signal and when deactivated, the SDRAM will be one

of the states among power down, suspend or self refresh

C K E

C S

Clock Enable

C h i p S e l e c t

B a n k A d d r e s s

E n a b l e s o r d i s a b l e s a l l i n p u t s e x c e p t C L K , C K E , U D Q M a n d L D Q M

Selects bank to be activated during R A S activity

Selects bank to be read/written during C A S activity

B A 0 , B A 1

A 0 ~ A 1 2

R o w A d d r e s s : R A 0 ~ R A 1 2 , C o l u m n A d d r e s s : C A 0 ~ C A 8

Auto-precharge flag : A10

A d d r e s s

R o w A d d r e s s S t r o b e , C o l -

u m n A d d r e s s S t r o b e , W r i t e

Enable

R A S , C A S and W E define the operation

Refer function truth table for details

R A S , C A S , W E

U D Q M , L D Q M

Data Input/Output Mask

Data Input/Output

Controls output buffers in read mode and masks input data in write mode

Multiplexed data input / output pin

D Q 0

~ D Q 1 5

V D D/V S S

V D D Q/V S S Q

N C

P o w e r S u p p l y / G r o u n d

D a t a O u t p u t P o w e r / G r o u n d

N o C o n n e c t i o n

Power supply for internal circuits and input buffers

Power supply for output buffers

N o c o n n e c t i o n

R e v i s i o n 0 . 1 / A p r . 0 1

123 4 5 6 7...11

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与HY57V561620T-I相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY57V561620T-P	HYNIX	4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY57V561620T-S	HYNIX	4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY57V561620T-SI	ETC	x16 SDRAM	获取价格
HY57V56420ALT-10	ETC	x4 SDRAM	获取价格
HY57V56420ALT-6	ETC	x4 SDRAM	获取价格
HY57V56420ALT-8	ETC	x4 SDRAM	获取价格

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