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HY57V281620BLT

更新时间: 2024-02-23 12:48:28
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其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 188K
描述
8Mx16|3.3V|4K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 128M

HY57V281620BLT 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.85Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54长度:22.238 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.194 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.2 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY57V281620BLT 数据手册

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HY57V281620B(L)T  
CAPACITANCE (TA=25°C, f=1MHz)  
-6/K/H  
Max  
-8/P/S  
Unit  
Parameter  
Pin  
Symbol  
Min  
Min  
Max  
Input capacitance  
CLK  
CI1  
CI2  
2.5  
2.5  
3.5  
3.8  
2.5  
2.5  
4.0  
5.0  
pF  
pF  
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS,  
WE, UDQM, LDQM  
Data input / output capacitance  
DQ0 ~ DQ15  
CI/O  
4.0  
6.5  
4.0  
6.5  
pF  
OUTPUT LOAD CIRCUIT  
Vtt=1.4V  
RT=250 Ω  
Output  
Output  
50pF  
50pF  
DC Output Load Circuit  
AC Output Load Circuit  
DC CHARACTERISTICS I (TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Max  
Unit  
Note  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
ILI  
-1  
-1  
2.4  
-
1
1
uA  
uA  
V
1
2
ILO  
VOH  
VOL  
-
IOH = -2mA  
IOL = +2mA  
0.4  
V
Note :  
1.VIN = 0 to 3.6V, All other pins are not tested under VIN =0V  
2.DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6  
Rev. 0.1/Nov. 01  
6

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8Mx16|3.3V|4K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 128M
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