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HWB111S8X0

更新时间: 2024-01-26 19:58:16
品牌 Logo 应用领域
精工 - SEIKO 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 782K
描述
5MX16 FLASH 12V PROM CARD, 200ns, XMA68

HWB111S8X0 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.84
最长访问时间:200 nsJESD-30 代码:X-XXMA-X68
内存密度:83886080 bit内存集成电路类型:FLASH CARD
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:68字数:5242880 words
字数代码:5000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:60 °C最低工作温度:
组织:5MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
编程电压:12 V认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

HWB111S8X0 数据手册

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