是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | HVQCCN, |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 1.48 | JESD-30 代码: | S-PQCC-N24 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 4 mm |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | HVQCCN | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
座面最大高度: | 1 mm | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | YES | 电信集成电路类型: | TELECOM CIRCUIT |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 4 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HMC960LP4E | ADI |
完全替代 ![]() |
DC - 100 MHz Dual Digital Variable Gain Amplifier SMT with Driver |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC962 | ADI |
获取价格 |
GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器,7.5 - 26.5 GHz |
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HMC962LC4 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 7.5 - 26.5 GHz |
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HMC963 | ADI |
获取价格 |
低噪声放大器,采用SMT封装,6 - 26.5 GHz |
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HMC963LC4 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 6 - 26.5 GHz |
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HMC963LC4 | ADI |
获取价格 |
Low Noise Amplifier SMT, 6 - 26.5 GHz |
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HMC963LC4TR | HITTITE |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 6000MHz Min, 26500MHz Max, 4 X 4 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLE |
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HMC963LC4TR | ADI |
获取价格 |
Low Noise Amplifier SMT, 6 - 26.5 GHz |
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HMC965LP5E | HITTITE |
获取价格 |
GaAs pHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER SMT WITH POWER DETECTOR |
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HMC965LP5E_11 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs pHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER SMT WITH POWER DETECTOR, 12.5 - 15.5 GHz |
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HMC965LP5ETR | HITTITE |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, |
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