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HMC549MS8GETR

更新时间： 2024-02-16 00:40:50

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		放大器射频微波输出元件
页数	文件大小	规格书
8页	275K
描述
Wide Band Low Power Amplifier,

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HMC549MS8GETR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	8.76
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TSSOP8,.19
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

HMC549MS8GETR 数据手册

HMC549MS8G / 549MS8GE

v02.0310

DUAL OUTPUT LOW NOISE

AMPLIFIER, 0.04 - 0.96 GHz

Psat vs. Temperature

P1dB vs. Temperature

+25 C

+85 C

-40 C

+25 C

+85 C

-40 C

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

FREQUENCY (GHz)

Gain, Noise Figure & P1dB vs.

Supply Voltage @ 500 MHz

Output IP3 vs. Temperature

P1dB

+25 C

+85 C

-40 C

GAIN

NOISE FIGURE

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

3.5

4.5

5.5

FREQUENCY (GHz)

SUPPLY VOLTAGE (Vdc)

Amplitude Balance *

Phase Balance *

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

-2

-4

-6

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

FREQUENCY (GHz)

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

FREQUENCY (GHz)

* Data taken without balun on the output.

All measurements taken in 75 Ohm system.

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

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