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HMC392

更新时间： 2024-01-05 19:30:55

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6页	229K
描述
GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 3.5 - 7.0 GHz

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HMC392 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DIE OR CHIP
针数：	0	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	2.37	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	14.5 dB
最大输入功率 (CW)：	20 dBm	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	10
最大工作频率：	7000 MHz	最小工作频率：	3500 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装等效代码：	DIE OR CHIP	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	最大压摆率：	75 mA
表面贴装：	YES	技术：	GAAS

HMC392 数据手册

HMC392

v00.1002

MICROWAVE CORPORATION

GaAs MMIC LOW NOISE

AMPLIFIER, 3.5 - 7.0 GHz

Absolute Maximum Ratings

Typical Supply Current vs. Vdd

Drain Bias Voltage (Vdd)

+7.0 Vdc

Vdd (Vdc)

+4.5

Idd (mA)

RF Input Power (RFin)(Vdd = +5.0 Vdc) +15 dBm

Channel Temperature

175 °C

+5.0

Continuous Pdiss (T= 85 °C)

(derate 8.125 mW/°C above 85 °C)

+5.5

0.731 W

(State 5 Depicted)

Thermal Resistance

(channel to die bottom)

123 °C/W

Storage Temperature

Operating Temperature

-65 to +150 °C

-55 to +85° C

Outline Drawing

NOTES:

1. ALL DIMENSIONS IN INCHES [MILLIMETERS]

2. ALL TOLERANCES ARE ±0.001 (0.025)

3. DIE THICKNESS IS 0.004 (0.100) BACKSIDE IS GROUND

4. BOND PADS ARE 0.004 (0.100) SQUARE

5. BOND PAD SPACING, CTR-CTR: 0.006 (0.150)

6. BACKSIDE METALLIZATION: GOLD

7. BOND PAD METALLIZATION: GOLD

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order Online at www.hittite.com

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