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HMC3587LP3BETR

更新时间： 2024-02-11 21:38:25

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亚德诺 - ADI		射频微波
页数	文件大小	规格书
9页	535K
描述
HBT Gain Block MMIC Amplifier, 4 - 10 GHz

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技术参数
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HMC3587LP3BETR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	LCC12,.12SQ,20
针数：	12	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.63	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	15 dB
最大输入功率 (CW)：	12 dBm	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	12
最大工作频率：	10000 MHz	最小工作频率：	4000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC12,.12SQ,20
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率：	60 mA	表面贴装：	YES
技术：	BIPOLAR	Base Number Matches：	1

HMC3587LP3BETR 数据手册

HMC3587LP3BE

v02.0717

HBT GAIN BLOCK

MMIC AMPLIFIER, 4 - 10 GHz

Reverse Isolation

-10

-20

-30

-40

-50

-60

-70

+25C

+85C

-40C

FREQUENCY (GHz)

Absolute Maximum Ratings

Dꢉaꢀꢃ Bꢀaꢇ Vꢆꢄtagꢅ

6 Vdc

rf iꢃꢁut pꢆꢈꢅꢉ (rfin)

Chaꢃꢃꢅꢄ Tꢅꢂꢁꢅꢉatuꢉꢅ

+12 dBꢂ

150 °C

Cꢆꢃtꢀꢃuꢆuꢇ pdꢀꢇꢇ (T=85 °C)

(dꢅꢉatꢅ 7.87 ꢂw/ °C Abꢆvꢅ +85 °C)

512 ꢂw

Thꢅꢉꢂaꢄ rꢅꢇꢀꢇtaꢃcꢅ

(chaꢃꢃꢅꢄ tꢆ gꢉꢆuꢃd ꢁaddꢄꢅ)

127 °C/w

stꢆꢉagꢅ Tꢅꢂꢁꢅꢉatuꢉꢅ

oꢁꢅꢉatꢀꢃg Tꢅꢂꢁꢅꢉatuꢉꢅ

esD sꢅꢃꢇꢀtꢀvꢀty (HBm)

-65 tꢆ 150 °C

-40 tꢆ +85 °C

Cꢄaꢇꢇ 1A

For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc., One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106

Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com

Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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HMC358MS8GETR	HITTITE	Voltage Controlled Oscillator, 5800MHz Min, 6800MHz Max, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, MSO	获取价格
HMC358MS8GTR	HITTITE	Voltage Controlled Oscillator, 5800MHz Min, 6800MHz Max, PLASTIC, SMT, MSOP8G, 8 PIN	获取价格