HMC241QS16

更新时间： 2024-01-22 17:44:44

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描述
GaAs MMIC SP4T NON-REFLECTIVE SWITCH, DC - 3.5 GHz

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HMC241QS16 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SSOP16,.25
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	1dB压缩点：	25 dBm
其他特性：	CMOS/TTL COMPATIBLE	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	最大输入功率 (CW)：	26.99 dBm
最大插入损耗：	1.5 dB	最小隔离度：	23 dB
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	16
准时：	0.15 µs	最大工作频率：	3500 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SSOP16,.25	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	SP4T	子类别：	RF/Microwave Switches
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

HMC241QS16 数据手册

HMC241QS16

v03.0404

MICROWAVE CORPORATION

GaAs MMIC SP4T NON-REFLECTIVE

SWITCH, DC - 3.5 GHz

Absolute Maximum Ratings

Bias Voltage Range (Port Vdd)

Control Voltage Range (A & B)

Channel Temperature

+7.0 Vdc

-0.5V to Vdd +1 Vdc

150 °C

Thermal Resistance

(Insertion Loss Path)

210 °C/W

250 °C/W

Thermal Resistance

(Terminated Path)

Storage Temperature

Operating Temperature

-65 to +150 °C

-40 to +85 °C

Maximum Input Power

Vdd = +5 Vdc

+20 dBm (0.05 - 0.5 GHz)

+27 dBm (0.5 - 3.5 GHz)

Outline Drawing

NOTES:

1. PACKAGE BODY MATERIAL: LOW STRESS INJECTION MOLDED

PLASTIC SILICA AND SILICON IMPREGNATED.

2. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY

3. LEADFRAME PLATING: Sn/Pb SOLDER

4. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].

5. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.

6. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.

7. ALL GROUND LEADS MUST BE SOLDERED TO PCB RF GROUND.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order Online at www.hittite.com

14 - 126

1 234

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