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HM628512ALTT-7

更新时间: 2024-02-29 19:08:47
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
18页 555K
描述
4M SRAM (512 KWORD X 8 BIT)

HM628512ALTT-7 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP32,.46针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.71
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
其他特性:BATTERY BACK-UP OPERATIONI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32长度:20.95 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP32,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.000015 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.06 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HM628512ALTT-7 数据手册

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