Datasheet > HL6316G

HL6316G

更新时间： 2024-01-20 02:58:54

品牌	Logo	应用领域
OPNEXT		半导体光电二极管激光二极管
页数	文件大小	规格书
4页	93K
描述
AlGaInP Laser Diodes

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HL6316G 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.02
光电设备类型：	LASER DIODE	Base Number Matches：	1

HL6316G 数据手册

HL6316G

Typical Characteristic Curves

Optical Output Power vs. Forward Current

Threshold Current vs. Case Temperature

100

T_C= -10°C

T_C= 25°C

T_C= 50°C

-10

100

Forward current, I_F(mA)

Case temperature, T_C(°C)

Slope Efficiency vs. Case Temperature

Monitor Current vs. Case Temprature

P_O= 3 mW

0.4

0.3

0.2

1.0

0.8

0.6

0.4

_R(PD)= 5 V

0.1

0.2

-10

Case temperature, T_C(°C)

Lasing Wavelength vs. Case Temperature

644

P_O= 3 mW

Far Field Pattern

Perpendicular

642

640

638

636

0.8

0.6

0.4

0.2

T_C= 25°C

P_O= 3 mW

634

632

Parallel

-40

-20

630

Angle, θ ( ° )

628

-10

Case temperature, T_C(°C)

Rev.0 Jul 01, 2005 page 2 of 4

123 4

下载PDF

与HL6316G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HL6319G	OPNEXT	AlGaInP Laser Diodes	获取价格
HL6319G	HITACHI	AlGaInP Laser Diodes	获取价格
HL6319G/20G	ETC		获取价格
HL6320G	HITACHI	AlGaInP Laser Diodes	获取价格
HL6320G	OPNEXT	AlGaInP Laser Diodes	获取价格
HL6321G	OPNEXT	AlGaInP Laser Diodes	获取价格