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Datasheet > 光电 > 红外 LED> HE8812SG

HE8812SG PDF预览

HE8812SG

更新时间： 2024-02-03 06:41:17

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		半导体红外LED 光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	142K
描述
GaAlAs Infrared Emitting Diode

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HE8812SG 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.20.00	Factory Lead Time：	12 weeks 6 days
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
光电设备类型：	INFRARED LED	Base Number Matches：	1

HE8812SG 数据手册

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HE8812SG

GaAlAs Infrared Emitting Diode

ODE-208-1000A (Z)

Rev.1

Jan. 2003

Description

The HE8812SG is a GaAlAs double heterojunction structure 870 nm band light emitting diode. It is

suitable for use as the light source in a wide range of optical control and sensing equipment.

Features

•

High efficiency and high output power

Package Type

• HE8812: SG1

Internal Circuit

1

2

12 3 4 5 6

下载PDF

与HE8812SG相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HE8813VG	HITACHI	Infrared LED, 4mm, 1-Element, 880nm	获取价格
HE8815VG	HITACHI	Infrared LED, 4mm, 1-Element, 880nm	获取价格
HE882	BOWEI	Broadband VCO	获取价格
HE883	BOWEI	Broadband VCO	获取价格
HE884	BOWEI	Broadband VCO	获取价格
HE891A	BOWEI	Voltage Variable Attenuators	获取价格

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