Datasheet > HE8050-E-T92-K

HE8050-E-T92-K

更新时间： 2024-01-30 10:24:53

品牌	Logo	应用领域
友顺 - UTC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	117K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HE8050-E-T92-K 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

HE8050-E-T92-K 数据手册

HE8050

NPN SILICON TRANSISTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

SOT-23

SYMBOL

V_CBO

RATINGS

UNIT

V_CEO

V_EBO

350

Collector Dissipation

P_c

SOT-89

500

TO-92/TO-92NL

Collector Current

I_C

T_J

1.5

Junction Temperature

Storage Temperature

+150

-65 ~ +150

°C

T_STG

Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25°C, unless otherwise specified.)

PARAMETER

SYMBOL

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

TEST CONDITIONS

I_C=100μA,I_E=0

I_C=2mA,I_B=0

MIN TYP MAX UNIT

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

I_E=100μA,I_C=0

V_CB=35V,I_E=0

100

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

V_EB=6V,I_C=0

h_FE1

V_CE=1V,I_C=5mA

V_CE=1V,I_C=100mA

V_CE=1V,I_C=800mA

135

DC Current Gain

h_FE2

160 500

110

h_FE3

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

V_CE(SAT)I_C=800mA,I_B=80mA

V_BE(SAT)I_C=800mA,I_B=80mA

0.5

1.2

V_BE

f_T

V_CE=1V,I_C=10mA

V_CE=10V,I_C=50mA

1.0

100

MHz

_CB=10V,I_E=0

Output Capacitance

Cob

9.0

f=1MHz

CLASSIFICATION of h_FE2

RANK

RANGE

120-200

160-300

250-500

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2 of 4

QW-R211-018,C

www.unisonic.com.tw

123 4

下载PDF

与HE8050-E-T92-K相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HE8050-E-T9N-A-B	UTC	Transistor	获取价格
HE8050-E-T9N-K	UTC	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
HE8050G-C-AE3-R	UTC	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN	获取价格
HE8050G-C-T92-K	UTC	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
HE8050G-C-T92-R	UTC	Small Signal Bipolar Transistor	获取价格
HE8050G-E-T9N-B	UTC	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格