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HCS20D/SAMPLE PDF预览

HCS20D/SAMPLE

更新时间： 2024-02-08 02:08:30
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 输入元件逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 180K
描述
HC/UH SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP14, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14

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HCS20D/SAMPLE 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：14
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.66系列：HC/UH
JESD-30 代码：R-CDIP-T14长度：19.43 mm
逻辑集成电路类型：NAND GATE功能数量：2
输入次数：4端子数量：14
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
传播延迟（tpd）：20 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

HCS20D/SAMPLE 数据手册

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HCS20MS  
Radiation Hardened  
Dual 4-Input NAND Gate  
September 1995  
Features  
Pinouts  
14 LEAD CERAMIC DUAL-IN-LINE  
METAL SEAL PACKAGE (SBDIP)  
MIL-STD-183S CDIP2-T14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
• 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS  
• Total Dose 200K RAD (Si)  
• SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg  
• Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/Bit-Day  
(Typ)  
A1  
B1  
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC  
13 D2  
12 C2  
11 NC  
10 B2  
• Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s  
• Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse  
• Latch-Up Free Under Any Conditions  
NC  
C1  
D1  
• Military Temperature Range: -55oC to +125oC  
• Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs  
• DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V  
Y1  
9
8
A2  
Y2  
GND  
• Input Logic Levels  
14 LEAD CERAMIC METAL SEAL FLATPACK PACKAGE  
(FLATPACK) MIL-STD-183S CDFP3-F14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
- VIL = 30% of VCC Max  
- VIH = 70% of VCC Min  
• Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH  
A1  
B1  
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
VCC  
D2  
Description  
NC  
C1  
C2  
NC  
B2  
The Intersil HCS20MS is a Radiation Hardened Dual 4-Input  
NAND Gate. A low on any input forces the output to a High state.  
D1  
Y1  
A2  
The HCS20MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to  
achieve high-speed operation. This device is a member of  
radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family.  
GND  
8
Y2  
The HCS20MS is supplied in a 14 lead Ceramic flatpack (K suffix)  
or a SBDIP Package (D suffix).  
Functional Diagram  
(1, 9)  
An  
Bn  
(2, 10)  
Ordering Information  
(6, 8)  
Yn  
PART  
NUMBER  
TEMPERATURE SCREENING  
RANGE LEVEL  
PACKAGE  
(4, 12)  
Cn  
o
o
HCS20DMSR  
HCS20KMSR  
-55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead SBDIP  
Dn  
(5, 13)  
TRUTH TABLE  
INPUTS  
o
o
-55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
OUTPUTS  
An  
L
Bn  
Cn  
X
Dn  
X
Yn  
H
H
H
H
L
o
HCS20D/  
Sample  
+25 C  
Sample  
Sample  
Die  
14 Lead SBDIP  
X
L
X
X
X
o
HCS20K/  
Sample  
+25 C  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
X
X
X
H
L
X
X
X
L
o
HCS20HMSR  
+25 C  
Die  
H
H
H
NOTE: L = Logic Level Low, H = Logic level High, X = Don’t Care  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
Spec Number 518761  
File Number 3050.1  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
43  
12345678

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