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GS81302TT20E-500

更新时间： 2024-09-24 13:47:59
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29页 393K
描述
165 BGA

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GS81302TT20E-500 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA,针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.05最长访问时间：0.45 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PBGA-B165
长度：17 mm内存密度：150994944 bit
内存集成电路类型：DDR SRAM内存宽度：18
功能数量：1端子数量：165
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX18
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15 mmBase Number Matches：1

GS81302TT20E-500 数据手册

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GS81302TT06/11/20/38E-500/450/400/350  
4M x 36 SigmaDDR-II+ SRAM—Top View  
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SA  
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LD  
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SA  
CQ  
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(288Mb)  
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SA  
K
BW0  
SA  
SA  
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Doff  
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ZQ  
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G
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REF  
REF  
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DDQ  
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SA  
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NC  
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DQ2  
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TDI  
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M
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NC  
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SA  
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SA  
SA  
QVLD  
ODT  
SA  
SA  
DQ9  
TMS  
TCK  
2
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Notes:  
1. BW0 controls writes to DQ0:DQ8; BW1 controls writes to DQ9:DQ17; BW2 controls writes to DQ18:DQ26; BW3 controls writes to  
DQ27:DQ35  
2. Pin B9 is the expansion address.  
Rev: 1.00b 11/2011  
2/29  
© 2011, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
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与GS81302TT20E-500相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GS81302TT20E-500I GSI

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 		165 BGA
GS81302TT20E-500IT GSI

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 		DDR SRAM, 8MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
GS81302TT20GE-350 GSI

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 		165 BGA
GS81302TT20GE-350I GSI

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 		DDR SRAM, 8MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
GS81302TT20GE-500 GSI

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GS81302TT20GE-500I GSI

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