生命周期: | Active | 包装说明: | LBGA, |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.8 |
最长访问时间: | 0.45 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
长度: | 17 mm | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | DDR SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 座面最大高度: | 1.5 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 15 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
GS81302TT107E-400T | GSI |
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SRAM, | |
GS81302TT107E-450T | GSI |
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SRAM, | |
GS81302TT10E-300 | GSI |
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DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 | |
GS81302TT10E-300I | GSI |
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165 BGA | |
GS81302TT10E-300IT | GSI |
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DDR SRAM, 16MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 | |
GS81302TT10E-333 | GSI |
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165 BGA | |
GS81302TT10E-333I | GSI |
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165 BGA | |
GS81302TT10E-350 | GSI |
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165 BGA | |
GS81302TT10E-350I | GSI |
获取价格 |
165 BGA | |
GS81302TT10E-400 | GSI |
获取价格 |
165 BGA |