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GM76U8128CLT1-85I

更新时间: 2024-02-14 00:10:24
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 101K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32

GM76U8128CLT1-85I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:TSSOP, TSSOP32,.8,20Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.88最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3 V认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

GM76U8128CLT1-85I 数据手册

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GM76U8128CL/CLL  
Timing Waveforms  
Read Cycle (Note 1)  
t
RC  
ADD  
t
AA  
t
t
ACS1  
/CS1  
t
t
CLZ1  
CLZ2  
ACS2  
t
t
CHZ1  
CS2  
t
OE  
CHZ2  
t
OLZ  
/OE  
t
OHZ  
OH  
t
High-Z  
VALID DATA  
DOUT  
113  

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