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GM72V66841GLT-S

更新时间： 2024-02-17 07:43:50

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	49K
描述
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54

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GM72V66841GLT-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
端子数量：	54	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

GM72V66841GLT-S 数据手册

GM72V66841G

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

2Mbit x 4banks x 8 I/O Synchronous DRAM

Self refresh logic

& timer

Internal Row

counter

2Mx8 Bank3

CLK

Row

Pre

Decoders

Row active

2Mx8 Bank 2

2Mx8 Bank 1

CKE

2Mx8 Bank 0

DQ0

DQ1

RAS

CAS

Memory

Cell

Array

refresh

Column

Active

Column

Pre

Decoders

DQM

DQ6

DQ7

Y decoders

Column Add

Counter

Bank Select

Address

Registers

Burst

Counter

A11

BA0

BA1

CAS Latency

Pipe Line Control

Mode Registers

Data Out Control

Rev. 0.2/Oct.00

1 234 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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