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GM71VS17403BLT-6

更新时间: 2024-01-13 14:01:07
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
29页 1853K
描述
x4 EDO Page Mode DRAM

GM71VS17403BLT-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.79
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP24/26,.36封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
自我刷新:YES最大待机电流:0.0001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.11 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GM71VS17403BLT-6 数据手册

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