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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP42,.6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.29 | 最长访问时间： | 150 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | JESD-30 代码： | R-PDIP-T42 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 52.451 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | MASK ROM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 42 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP42,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.826 mm |
| 最大待机电流： | 0.00003 A | 子类别： | MASK ROMs |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GM23C16000AFW-12 | ETC | x8 or x16 ROM (Mask Programmable) |
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| GM23C16000AFW-15 | ETC | x8 or x16 ROM (Mask Programmable) |
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| GM23C16000B-12 | ETC | x8 or x16 ROM (Mask Programmable) |
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| GM23C16000B-15 | ETC | x8 or x16 ROM (Mask Programmable) |
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| GM23C16000BFW-12 | ETC | x8 or x16 ROM (Mask Programmable) |
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| GM23C16000BFW-15 | ETC | x8 or x16 ROM (Mask Programmable) |
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