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GI810/60

更新时间： 2024-02-09 09:47:07

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	328K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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GI810/60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-15	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.79	其他特性：	PATENTED DEVICE, METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AC	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.75 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GI810/60 数据手册

GI810 thru GI818

Vishay General Semiconductor

100

TJ = 25 °C

f = 1.0 MHz

V^sig= 50mVp-p

TJ = 25 °C

Pulse Width = 300 µs

1% Duty Cycle

0.1

0.01

100

0.8

Instantaneous Forward Voltage (V)

0.4

0.6

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

Reverse Voltage (V)

Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics

Figure 5. Typical Junction Capacitance

100

TJ = 125 °C

T^J= 75 °C

0.1

T^J= 25 °C

0.1

0.01

0.1

100

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

t, Pulse Duration (sec.)

Figure 4. Typical Reverse Characteristics

Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance

Package outline dimensions in inches (millimeters)

DO-204AC (DO-15)

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

Dia.

1.0 (25.4)

min.

0.300 (7.6)

0.230 (5.8)

0.140 (3.6)

0.104 (2.6)

Dia.

1.0 (25.4)

min.

Document Number 88628

12-Oct-05

www.vishay.com

1 234

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GI810/60-E3	VISHAY	DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode	获取价格
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