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GBU602

更新时间： 2024-01-05 03:38:57

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戈采 - FCI		二极管局域网
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2页	127K
描述
6.0Amps Glass Passivated Single Phase Silico n Bridge

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GBU602 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	200 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	175 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU602 数据手册

6.0Amps Glass Passivated

Single Phase Silicon Bridge

Machamical Dimensions

4.2 0.2

21.9 0.5

3.85 0.25

Descriptions

4.4 0.2

1.95 0.25

18.6 0.3

20.4 0.3

1.9 R. TYP.

(2PLACES)

10.8 0.5

3.4 0.2

16.0 0.4

0.2

1.3

5.1 0.5

GBU

Dimensions in millimeters(1mm =0.0394")

Features

Mechanical Data

Case: Molded plastic body

Ideal for P.C. Board mounting

Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-202,

Method 208

High surge current capability

This series is UL listed under the Recognized

Component Index, file number E142814

The plastic material used carries Underwriters

Laboratory flammability recognition 94V-0

High temperature soldering guaranteed 265 C /10

seconds at 5 lbs (2.3kg) tension

Mounting Position:: Any

Weight: 3.8 grams (approx)

Maximum Ratings & Thermal Characteristics

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified, Resistive or Inductive load, 60 Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

GBU GBU GBU GBU GBU GBU GBU GBU

Parameter

Symbol

VRRM

VRMS

VDC

unit

600

601 602

100 200

604

400

606 608 610 612

600 800 1000 1200

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS bridge input voltage

Maximum DC blocking voltage

70 140

100 200

280

400

420

560 700 840

600 800 1000 1200

Maximum average forward rectified

output current at TA=100 C

6.0

IF(AV)

Peak forward surge current single sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

175

IFSM

I²t

²sec

127

2.2

Rating for fusing ( t<8.3ms)

C / W

Typical thermal resistance per element(1)

ReJA

TJ,

TSTG

Operating junction and storage temperature

range

-55 to + 150

1.1

Max. instantaneous forward voltage drop

per leg at 6.0A

Max. DC reverse current at rated Ta=25C

Max. DC reverse current at rated Ta=125C

5.0

500

Notes: Thermal resistance from Junction to Ambient on PC board mounting

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与GBU602相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU6-02	FRONTIER	获取价格	6A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS
GBU602A	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier
GBU602AB1	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 200V V(RRM), Silicon,
GBU602B1	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 200V V(RRM), Silicon,
GBU602C	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
GBU602G	JUXING	获取价格	BRIDGE RECTIFIERS
GBU602G	NIUHANG	获取价格	BRIDGERECTIFIERS
GBU602-G	COMCHIP	获取价格	Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU602H	ZOWIE	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU602LC	ZOWIE	获取价格	Low VF Bridge Rectifier

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