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GBJ801 PDF预览

GBJ801

更新时间： 2024-01-06 22:30:36
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE /
页数 文件大小 规格书
2页 98K
描述
Bridge Rectifier Diode, 8A, 100V V(RRM),

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GBJ801 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.63其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：100 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T4JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：170 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GBJ801 数据手册

 浏览型号GBJ801的Datasheet PDF文件第2页 
GBJ8005 THRU GBJ810  
桥式整流器Bridge Rectifier  
■特征 Features  
■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark  
●
Io  
8A  
6KBJ  
HOLE FOR NO.  
6 SCREW  
●
VRRM  
50V~1000V  
.189(4.8)  
.173(4.4)  
●
●
玻璃钝化芯片  
1.193(30.3)  
1.169(29.7)  
.150(3.8)  
.134(3.4)  
Glass passivated chip  
.134(3.4)  
.122(3.1)  
耐正向浪涌电流能力高  
DIA  
.800(20.3)  
.776(19.7)  
High surge forward current capability  
.441(11.2)  
.425(10.8)  
.228(5.8)  
.189(4.8)  
+
-
~ ~  
用途 Applications  
■
■
.106(2.7)  
.096(2.3)  
.165(4.2)  
.150(3.8)  
.153(3.9)  
.134(3.4)  
●
作一般电源单相桥式整流用  
General purpose 1 phase Bridge  
rectifier applications  
.094(2.4)  
.078(2.0)  
.708(18.0)  
.669(17.0)  
.043(1.1)  
.035(0.9)  
.402(10.2) .303(7.7) .303(7.7)  
.386(9.8) .287(7.3) .287(7.3)  
.031(0.8)  
.023(0.6)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
极限值（绝对最大额定值）  
Limiting Values（Absolute Maximum Rating）  
符号 单位  
GBJ8  
参数名称  
Item  
条件  
Conditions  
Symbol Unit  
005 01 02 04 06 08 10  
反向重复峰值电压  
Repetitive Peak Reverse  
Voltage  
VRRM  
V
A
A
50 100 200 400 600 800 1000  
60Hz正弦波，  
电阻负载  
60Hz sine wave,  
R-load  
用散热片Tc =82℃  
With heatsink Tc =82℃  
无散热片Ta =25℃  
平均整流输出电流  
Average Rectified Output  
Current  
8
IO  
3.2  
Without heatsink Ta =25℃  
正向（不重复）浪涌电流  
Surge(Non-  
repetitive)Forward Current  
正向浪涌电流的平方对电流  
60HZ正弦波，一个周期，Tj=25℃  
60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃  
IFSM  
170  
120  
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管  
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode  
A2S  
I2t  
浪涌持续时间的积分值  
Current Squared Time  
存储温度  
Tstg  
-55 ~+150  
-55 ~+150  
℃
Storage Temperature  
结温  
Tj  
℃
Junction Temperature  
绝缘耐压  
Dielectric Strength  
端子与外壳之间外加交流电，一分钟  
Terminals to case，AC 1 minute  
Vdis  
Tor  
KV  
2.5  
8
推荐值：5kg·cm  
Recommend torque：5kg·cm  
安装扭矩  
Mounting Torque  
kg·  
cm  
■电特性 （T =25℃ 除非另有规定）  
a
Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified）  
参数名称  
Item  
符号 单位  
Symbol Unit  
测试条件  
Test Condition  
最大值  
Max  
IFM=4A, 脉冲测试，单个二极管的额定值  
FM=4A, Pulse measurement, Rating of per diode  
VRM=VRRM ,脉冲测试，单个二极管的额定值  
正向峰值电压  
Peak Forward Voltage  
反向峰值电流  
VFM  
V
1.1  
10  
I
IRRM  
μA  
Peak Reverse Current  
VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode  
结和环境之间，无散热片  
Between junction and ambient, Without heatsink  
结和管壳之间，用散热片  
R
θJ-A  
25  
热阻  
℃/W  
Thermal Resistance  
R
θJ-C  
2.3  
Between junction and case, With heatsink  
扬州扬杰电子科技股份有限公司  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
Document Number 0049  
Rev. 1.0, 22-Sep-11  
www.21yangjie.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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