FS16SM-6

更新时间： 2024-02-16 02:06:41

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	84K
描述
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FS16SM-6 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.33 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS16SM-6 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS16SM-6

HIGH-SPEED SWITCHING USE

GATE-SOURCE VOLTAGE

VS.GATE CHARGE

(TYPICAL)

SOURCE-DRAIN DIODE

FORWARD CHARACTERISTICS

(TYPICAL)

GS = 0V

Tch = 25°C

= 16A

Pulse Test

TC = 125°C

VDS = 50V

25°C

75°C

100V

200V

(nC)

100

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

GATE CHARGE

SOURCE-DRAIN VOLTAGE V

SD (V)

ON-STATE RESISTANCE VS.

CHANNEL TEMPERATURE

(TYPICAL)

THRESHOLD VOLTAGE VS.

CHANNEL TEMPERATURE

(TYPICAL)

10¹

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

DS = 10V

= 1mA

GS = 10V

ID = 1/2ID

Pulse Test

10⁰

10^–1

–50

100

150

–50

100

150

CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)

BREAKDOWN VOLTAGE VS.

CHANNEL TEMPERATURE

(TYPICAL)

TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE

CHARACTERISTICS

10¹

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

GS = 0V

D = 1mA

D=1

0.5

10⁰

0.2

0.1

10^–1

0.05

0.02

0.01

Single Pulse

10^–2

10^–423 5710^–323 5710^–223 5710^–123 5710⁰23 5710¹23 5710²

PULSE WIDTH (s)

–50

100

150

CHANNEL TEMPERATURE Tch (°C)

Feb.1999

1 2 3 45

中文翻译

下载PDF

与FS16SM-6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS16SM9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-247VAR
FS16SM-9	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS16SM-9	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS16SM-9	RENESAS	获取价格	MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS16UM10	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-220AB
FS16UM-10	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS16UM-10	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS16UM-10	RENESAS	获取价格	MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS16UM4A	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FS16UM5	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-220AB