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FLM8596-8F

更新时间： 2024-01-02 14:04:10

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4页	254K
描述
X, Ku-Band Internally Matched FET

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FLM8596-8F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	最大漏极电流 (ID)：	2.6 A
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FLM8596-8F 数据手册

FLM8596-8F

X, Ku-Band Internally Matched FET

POWER DERATING CURVE

OUTPUT POWER & IM vs. INPUT POWER

=10V

f = 9.6 GHz

f = 9.61 GHz

2-tone test

out

-15

-25

-35

-45

100

150

200

Case Temperature (°C)

Input Power (S.C.L.) (dBm)

S.C.L.: Single Carrier Level

OUTPUT POWER vs. FREQUENCY

OUTPUT POWER vs. INPUT POWER

=10V

1dB

f = 9.0 GHz

Pin=33dBm

30dBm

out

28dBm

25dBm

22dBm

add

8.5

9.0

9.6

Frequency (GHz)

22 24 26 28 30 32

Input Power (dBm)

123 4

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