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FLM1314-3F

更新时间： 2024-02-26 14:30:26

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4页	309K
描述
X, Ku-Band Internally Matched FET

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FLM1314-3F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.15
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
最大漏极电流 (ID)：	1.1 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

FLM1314-3F 数据手册

FLM1314-3F

X, Ku-Band Internally Matched FET

OUTPUT POWER & IM vs. INPUT POWER

POWER DERATING CURVE

=10V

f1 = 14.5 GHz

f2 = 14.51 GHz

2-tone test

out

-15

-25

-35

-45

-55

100

150

200

Case Temperature (°C)

Input Power (S.C.L.) (dBm)

S.C.L.: Single Carrier Level

OUTPUT POWER vs. INPUT POWER

OUTPUT POWER vs. FREQUENCY

= 10V

f = 14.25 GHz

= 10V

1dB

Pin = 31dBm

Pout

29dBm

27dBm

add

25dBm

14.5

18 20 22 24 26 28 30 32

Input Power (dBm)

13.7

13.9

14.1

14.3

Frequency (GHz)

123 4

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