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FLM1213-4C

更新时间: 2024-01-08 14:21:25
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 220K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

FLM1213-4C 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.65
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:15 V最大漏极电流 (ID):1.3 A
FET 技术:JUNCTION最高频带:KU BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

FLM1213-4C 数据手册

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