FLC01-200H

更新时间： 2024-02-16 23:17:06

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		触发装置硅浪涌保护器 PC
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描述
FIRE LIGHTER CIRCUIT

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FLC01-200H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	1.53
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
2D Presentation：	https://componentsearchengine.com/2D/0T/366615.1.1.png	Schematic Symbol：	https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=366615
PCB Footprint：	https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=366615	3D View：	https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=366615
Samacsys PartID：	366615	Samacsys Image：	https://componentsearchengine.com/Images/9/FLC01-200H.jpg
Samacsys Thumbnail Image：	https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/FLC01-200H.jpg	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Thyristor	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	IPAK_1	Samacsys Released Date：	2019-05-10 14:54:08
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大转折电压：	233 V	最小转折电压：	206 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	120 °C	最低工作温度：	-30 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	断态重复峰值电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

FLC01-200H 数据手册

FLC01-200x

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

I_F

Symbol

Parameters

Stand-off voltage

V_RM

V_BO

V_T

Breakover voltage

On-state voltage

V_F

Diode forward voltage drop

Breakover current

I_BO

I_RM

αT

Leakage current

Temperature coefficient for V_BO

DIODE (D) PARAMETER

Symbol

Test Conditions

Tj = 25°C

tp ≤ 500µs

Value

Unit

V_F

Max.

1.7

I_F= 2A

THYRISTOR (Th) and ZENER (Z) PARAMETERS

Symbol

Test conditions

Min.

Typ. Max.

Unit

µA

I_RM

Tj = 25°C

V_RM= 200 V

Tj = 125°C

Tj = 25°C

V_BO

I_BO

V_T

206

220

233

0.5

1.7

at I_BO

Tj = 25°C

at V_BO

I_T= 2A

tp ≤ 500µs

αT

0.27

V/°C

Fig. 1: Relative variation of breakover current

versus junction temperature.

k = IBO(Tj) / IBO(25°C)

2.5

1.5

0.5

-20

100

Tj (°C)

3/8

1 234 5 6 7 8

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