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FFD08S60S-F085

更新时间： 2023-09-03 20:33:04
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 软恢复二极管超快速软恢复二极管局域网软恢复能力电源超快速软恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
5页 406K
描述
600V，8A，2.1V DPAKSTEALTH™ II 整流器

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FFD08S60S-F085 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：DPAK-3/2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：1.77Samacsys Description：Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier
其他特性：HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON NITRIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.6 VJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：100 µA
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FFD08S60S-F085 数据手册

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Rectifier – STEALTHt II  
8 A, 600 V  
FFD08S60S-F085  
The FFD08S60S−F085 is stealth 2 rectifier with soft recovery  
characteristics (t < 30 ns). They has half the recovery time of  
rr  
hyperfast rectifier and are silicon nitride passivated ion−implanted  
epitaxial planar construction. This device is intended for use as  
freewheeling of boost diode in switching power supplies and other  
power switching applications. Their low stored charge and hyperfast  
soft recovery minimize ringing and electrical noise in many power  
switching circuits reducing power loss in the switching transistors.  
www.onsemi.com  
Cathode  
Anode  
Features  
• High Speed Switching (Max. t < 30 ns @ I = 8 A)  
rr  
F
• High Reverse Voltage and High Reliability  
• Avalanche Energy Rated  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• Pb−Free and RoHS Compliant  
Cathode  
(Flange)  
Cathode  
Anode  
DPAK3  
CASE 369AS  
Applications  
• General Purpose  
• Switching Mode Power Supply  
• Boost Diode in Continuous Mode Power Factor Corrections  
• Power Switching Circuits  
MARKING DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
600  
Unit  
V
$Y&Z&3&K  
F08S60S  
V
RRM  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
RWM  
600  
V
V
R
600  
V
I
Average Rectified Forward Current  
8
A
F(AV)  
@ T = 115°C  
C
I
Non−repetitive Peak Surge Current  
60 Hz Single Half−Sine Wave  
80  
A
FSM  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
T , T  
J
Operating Junction and Storage  
Temperature  
−65 to + 150  
°C  
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
F08S60S  
= Specific Device Code  
ORDERING INFORMATION  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Device  
FFD08S60−F085  
Package  
Shipping  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
DPAK3  
(Pb−Free)  
2500 /  
Tape & Reel  
R
Maximum Thermal Resistance,  
Junction to Case  
3.0  
°C/W  
θ
JC  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
January, 2021 − Rev. 4  
FFD08S60S−F085/D  
12345

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