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FBI6A1M1

更新时间： 2024-02-26 14:19:25

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描述
Bridge Rectifiers (In Line)

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FBI6A1M1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PSFM-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.05 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	170 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	50 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FBI6A1M1 数据手册

FBI6A1M1.......FBI6M1M1

6 Amp. Glass Passivated Bridge Rectifier

Plastic

Case

Voltage

50 to 1000 V.

Current

6.0 A.

Dimensions in mm.

3.2

3.5

1^{+ 0.05}

• Glass Passivated Junction Chips.

• UL recognized under component index file

number E130180.

suffix

–4

17.5

7.5

0.7

• Lead and polarity identifications.

• Case: Molded Plastic.

• Mounting Instructions

• High temperature soldering guaranteed: 260 ºC – 10 sc.

• Ideal for printed circuit board (P.C.B.).

• High surge current capability.

• Recommended mounting torque: 8 Kg.cm.

• The plastic material carries U/L recognition 94 V-O.

Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134

FBI6A FBI6B FBI6D FBI6G FBI6J FBI6K FBI6M

1M1

100

200

400

600

800 1000

Peak recurrent reverse voltage (V)

Maximum RMS voltage (V)

RRM

VRMS

140

280

420

560

700

Max. Average forward current with heatsink

without heatsink

6.0 A at 100 ºC

3.0 A at 40 ºC

170 A

I_F(AV)

10 ms. peak forward surge current (Jedec Method)

Current squared time (rating for fusing)

(1ms.<t<10ms. Tc = 25ºC)

IFSM

I²t

140 A²sec

Dielectric strength (terminals to case, AC 1 min.)

Operating temperature range

T_j

T_stg

DIS

2000 V

– 55 to + 150 °C

– 55 to +150 ºC

Storage temperature range

Electrical Characteristics at Tamb = 25°C

V_F

I_R

Max. forward voltage drop per diode at I_F= 3.0 A

Max. instantaneous reverse current at V_RRM

MAXIMUM THERMAL RESISTANCE

Junction-Case. With Heatsink.

1.05V

5 A

2.2 ºC/W

22 ºC/W

th (j-c)

Junction-Ambient. Without Heatsink.

th (j-a)

Jan - 00

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