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F82C212-16

更新时间: 2024-01-17 05:33:17
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 外围集成电路动态存储器控制器
页数 文件大小 规格书
84页 4266K
描述
DRAM Controller

F82C212-16 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
Is Samacsys:NJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0端子数量:100
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QFP
封装等效代码:QFP100,.7X1.0封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:Memory Controllers最大压摆率:75 mA
标称供电电压:5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDuPs/uCs/外围集成电路类型:MEMORY CONTROLLER, DRAM
Base Number Matches:1

F82C212-16 数据手册

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