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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> ES2DHE3/52T
ES2DHE3/52T PDF预览

ES2DHE3/52T

更新时间： 2024-01-04 07:48:38
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管光电二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
4页 104K
描述
Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier

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ES2DHE3/52T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：7.21
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, HIGH RELIABILITY
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

ES2DHE3/52T 数据手册

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ES2A thru ES2D  
Vishay General Semiconductor  
Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Glass passivated chip junction  
• Ideal for automated placement  
• Ultrafast recovery times for high efficiency  
• Low forward voltage, low power losses  
• High forward surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
DO-214AA (SMB)  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectification and  
freewheeling application in switching mode converters  
and inverters for consumer, computer, automotive and  
telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2.0 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AA (SMB)  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
VRRM  
IFSM  
trr  
50 V to 200 V  
50 A  
20 ns  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
VF  
0.90 V  
TJ max.  
150 °C  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
ES2A  
EA  
50  
ES2B  
EB  
ES2C  
EC  
ES2D  
ED  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
V
V
V
A
35  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TL = 110 °C  
50  
100  
IF(AV)  
2.0  
50  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
ES2A  
ES2B  
ES2C  
ES2D  
UNIT  
Maximuminstantaneousforward  
voltage (1)  
2.0 A  
VF  
0.90  
V
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage  
TA = 25 °C  
TA = 100 °C  
10  
350  
IR  
µA  
Document Number: 88587  
Revision: 27-Aug-07  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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ES2DHE3/52T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ES2DHE3/5BT VISHAY

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ES2D-HE3/52T VISHAY

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 		DIODE 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN,
ES2DHE3/5BT VISHAY

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 		Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier
ES2D-HE3/5BT VISHAY

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 		DIODE 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN,
ES2DHE3_A/H VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
ES2DHE3_A/I VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
ES2DHE3J/52T VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
ES2DHE3J_A/H VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
ES2DHE3-L MCC

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 		Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
ES2DHL MCC

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 		Tape&Reel: 2.5Kpcs/Reel;
ES2DHM3/5BT VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

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