5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EP05H10TE8R3 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.48A, 100V V(RRM), Silicon, |
|
| EP05H10TRLH | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 100V V(RRM), Silicon, SOD-123, 2 PIN |
|
| EP05Q03L | KYOCERA AVX |
获取价格 |
Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
|
| EP05Q03LTE8L10 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.49A, 30V V(RRM), Silicon, |
|
| EP05Q03LTE8L3 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.49A, 30V V(RRM), Silicon, |
|
| EP05Q03LTE8R10 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.49A, 30V V(RRM), Silicon, |
|
| EP05Q03LTE8R3 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.49A, 30V V(RRM), Silicon, |
|
| EP05Q03LTRRH | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon, SOD-123, 2 PIN |
|
| EP05Q04 | NIEC |
获取价格 |
LOW POWER LOSS, HIGH EFFICIENCY |
|
| EP05Q04 | KYOCERA AVX |
获取价格 |
Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
