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EIA1718A-1P

更新时间： 2024-02-20 01:24:50
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EXCELICS /
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描述
17.3-18.1GHz, 1W Internally Matched Power FET

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EIA1718A-1P 数据手册

  
EIA/EIB1718A-1P  
Excelics  
PRELIMINARY DATA SHEET  
17.3-18.1GHz, 1W Internally Matched Power FET  
•
17.3-18.1GHz BANDWIDTH AND INPUT/OUTPUT  
IMPEDANCE MATCHED TO 50 OHM  
•
•
•
EIA FEATURES HIGH PAE( 25% TYPICAL)  
EIB FEATURES HIGH IP3(43dBm TYPICAL)  
+30.5/+29.5dBm TYPICAL P1dB OUTPUT POWER FOR  
EIA/EIB  
•
•
7.5/6.0dB TYPICAL G1dB POWER GAIN FOR EIA/EIB  
NON-HERMETIC METAL FLANGE PACKAGE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25 OC)  
EIA1718A-1P  
EIB1718A-1P  
SYMBOLS  
PARAMETERS/TEST CONDITIONS  
UNIT  
dBm  
dB  
MIN  
TYP  
MAX  
MIN  
TYP  
MAX  
Output Power at 1dB Compression f=17.3-18.1GHz  
Vds=8V, Idsq=0.5 Idss(EIA), 0.6Idss(EIB)  
29  
30.5  
29.0  
29.5  
P1dB  
G1dB  
PAE  
Gain at 1dB Compression  
f=17.3-18.1GHz  
6.5  
7.5  
30  
5.5  
6.0  
25  
Vds=8V, Idsq=0.5 Idss(EIA), 0.6Idss(EIB)  
Power Added Efficiency at 1dB compression  
f=17.3-18.1GHz  
Vds=8V, Idsq=0.5 Idss(EIA), 0.6Idss(EIB)  
%
Drain Current at 1dB Compression  
440  
37  
425  
43*  
mA  
Id1dB  
IP3  
Output 3rd Order Intercept Point  
Vds=8V, Idsq=0.5 Idss(EIA), 0.6Idss(EIB)  
f=17.3-18.1GHz  
dBm  
Saturated Drain Current Vds=3V, Vgs=0V  
550  
-13  
720  
760  
-1.0  
-15  
16  
850  
-2.5  
550  
720  
360  
-2.0  
-15  
16  
850  
-3.5  
mA  
mS  
V
Idss  
Transconductance  
Pinch-off Voltage  
Vds=3V, Vgs=0V  
Vds=3V, Ids=6mA  
Gm  
Vp  
Drain Breakdown Voltage Igd=2.4mA  
V
BVgd  
Thermal Resistance (Au-Sn Eutectic Attach)  
oC/W  
Rth  
*Typical –45dBc IM3 at Pout=20dBm/Tone  
MAXIMUM RATINGS AT 25OC  
SYMBOLS  
PARAMETERS  
ABSOLUTE1  
CONTINUOUS2  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
12V  
-8V  
8V  
Vds  
Vgs  
Ids  
-3V  
Idss  
Idss  
Forward Gate Current  
Input Power  
90mA  
32dBm  
175oC  
-65/175oC  
8.5  
15mA  
Igsf  
Pin  
Tch  
Tstg  
Pt  
@ 3dB Compression  
150oC  
-65/150oC  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Total Power Dissipation  
7.1W  
Note: 1. Exceeding any of the above ratings may result in permanent damage.  
2. Exceeding any of the above ratings may reduce MTTF below design goals.  
Excelics Semiconductor, Inc., 2908 Scott Blvd., Santa Clara, CA 95054  
Phone: (408) 970-8664 Fax: (408) 970-8998 Web Site: www.excelics.com  
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