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EDI88130LP85ZI

更新时间： 2024-02-14 05:10:25
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 156K
描述
x8 SRAM

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EDI88130LP85ZI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
Is Samacsys：N最长访问时间：85 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-CZIP-T32
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：ZIP封装等效代码：ZIP32,.1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.0004 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.095 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：1.27 mm
端子位置：ZIG-ZAGBase Number Matches：1

EDI88130LP85ZI 数据手册

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EDI88128C  
HI-RELIABILITY PRODUCT  
128Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-89598  
FEATURES  
The EDI88128C is a high speed, high performance, Monolithic  
CMOS Static RAM organized as 128Kx8.  
■ Access Times of 70, 85, 100ns  
■ Available with Single Chip Selects (EDI88128) or Dual Chip  
The device is also available as EDI88130C with an additional chip  
select line (CS2) which will automatically power down the device  
when proper logic levels are applied.  
Selects (EDI88130)  
■ 2V Data Retention (LP Versions)  
■ CS and OE Functions for Bus Control  
■ TTL Compatible Inputs and Outputs  
■ Fully Static, No Clocks  
The second chip select line (CS2) can be used to provide system  
memory security during power down in non-battery backed up  
systems and simplifiy decoding schemes in memory banking  
where large multiple pages of memory are required.  
■ Organized as 128Kx8  
The EDI88128C and the EDI88130C have eight bi-directional in-  
put-output lines to provide simultaneous access to all bits in a  
word. An automatic power down feature permits the on-chip  
circuitry to enter a very low standby mode and be brought back  
into operation at a speed equal to the address access time.  
■ Industrial, Military and Commercial Temperature Ranges  
■ Thru-hole and Surface Mount Packages JEDEC Pinout  
• 32 pin Ceramic DIP, 0.6 mils wide (Package 9)  
• 32 lead Ceramic ZIP (Package 100)  
• 32 lead Ceramic SOJ (Package 140)  
Low power versions, EDI88128LP and EDI88130LP, offer a 2V data  
retention function for battery back-up opperation. Military prod-  
uct is available compliant to Appendix A of MIL-PRF-38535.  
■ Single +5V (±10%) Supply Operation  
FIG. 1 PIN CONFIGURATION  
PIN DESCRIPTION  
32 DIP  
I/O0-7  
A0-16  
WE  
Data Inputs/Outputs  
Address Inputs  
Write Enable  
32 SOJ  
32 ZIP  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
A6 11  
A5 13  
A4 15  
A3 17  
A2 19  
A1 21  
AØ 23  
I/OØ 25  
I/O1 27  
I/O2 29  
1
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2 10  
A1 11  
AØ 12  
I/OØ 13  
I/O1 14  
I/O2 15  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 VCC  
2
4
6
8
VCC  
A15  
NC/CS2*  
WE  
CS1, CS2  
OE  
Chip Selects  
3
5
7
9
31 A15  
30 NC/CS2*  
29 WE  
28 A13  
27 A8  
26 A9  
25 A11  
24 OE  
23 A10  
22 CS1  
21 I/O7  
20 I/O6  
19 I/O5  
18 I/O4  
17 I/O3  
Output Enable  
Power (+5V ±10%)  
Ground  
VCC  
10 A13  
12 A8  
14 A9  
VSS  
NC  
Not Connected  
16 A11  
18 OE  
20 A10  
22 CS1  
24 I/O7  
26 I/O6  
28 I/O5  
30 I/O4  
32 I/O3  
BLOCK DIAGRAM  
Memory Array  
VSS 31  
V
SS 16  
Address  
Buffer  
Address  
Decoder  
I/O  
Circuits  
A
Ø-16  
I/OØ-7  
WE  
CS1  
CS  
OE  
2
* Pin 30 is NC for 88128 or CS2 for 88130.  
1
July 1999 Rev. 13  
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com  
12345678

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EDI88130LP85ZM ETC x8 SRAM

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