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EBD26UC6AASA-7A

更新时间: 2024-01-29 09:01:30
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
19页 192K
描述
256MB DDR SDRAM SO DIMM

EBD26UC6AASA-7A 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE包装说明:DIMM, DIMM200,24
针数:200Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N200
内存密度:2147483648 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:200字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM200,24封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.048 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.26 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:0.6 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EBD26UC6AASA-7A 数据手册

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EBD10RD4ABFA  
Byte No. Function described  
Minimum row active to row active  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
28  
29  
30  
delay (tRRD)  
0
0
1
1
0
0
0
0
30H  
12ns  
-6B  
-7A, -7B  
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
3CH  
48H  
50H  
15ns  
18ns  
20ns  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
-6B  
-7A, -7B  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
-6B  
0
0
1
0
1
0
1
0
2AH  
42ns  
-7A, -7B  
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
1
2DH  
01H  
45ns  
1 rank  
1GB  
31  
32  
Module rank density  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
-6B  
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
75H  
90H  
75H  
90H  
45H  
0.75ns*3  
0.9ns*3  
-7A, -7B  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
-6B  
33  
0.75ns*3  
0.9ns*3  
-7A, -7B  
Data input setup time before clock  
(tDS)  
-6B  
34  
35  
0.45ns*3  
-7A, -7B  
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
1
50H  
45H  
0.5ns*3  
Data input hold time after clock (tDH)  
-6B  
-7A, -7B  
0.45ns*3  
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
50H  
00H  
0.5ns*3  
36 to 40  
41  
Superset information  
Active command period (tRC)  
-6B  
Future use  
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
1
3CH  
41H  
60ns*3  
65ns*3  
-7A, -7B  
Auto refresh to active/  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
-6B  
42  
0
1
0
0
1
0
0
0
48H  
72ns*3  
-7A, -7B  
0
0
1
0
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
4BH  
30H  
75ns*3  
12ns*3  
43  
44  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-6B  
-7A, -7B  
Data hold skew (tQHS)  
-6B  
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
2DH  
32H  
55H  
450ps*3  
500ps*3  
550ps*3  
45  
-7A, -7B  
0
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
75H  
00H  
00H  
750ps*3  
Future use  
Initial  
46 to 61  
62  
Superset information  
SPD revision  
Checksum for bytes 0 to 62  
-6B  
63  
1
1
0
1
0
0
1
1
D3H  
211  
-7A  
1
1
0
0
1
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
8AH  
B5H  
7FH  
7FH  
FEH  
138  
181  
-7B  
64  
65  
66  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Elpida Memory  
Preliminary Data Sheet E0274E40 (Ver. 4.0)  
6

与EBD26UC6AASA-7A相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBD26UC6AASA-7A-E ELPIDA DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, SOCKET TYPE, SODIMM-200

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EBD26UC6AASA-7B ELPIDA 256MB DDR SDRAM SO DIMM

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EBD26UC6AKSA ELPIDA 256MB DDR SDRAM SO DIMM (32M words x 64 bits, 2 Banks)

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EBD26UC6AKSA-6B ELPIDA 256MB DDR SDRAM SO DIMM (32M words x 64 bits, 2 Banks)

获取价格

EBD26UC6AKSA-6B-E ELPIDA 256MB DDR SDRAM SO-DIMM (32M words x 64 bits, 2 Ranks)

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EBD26UC6AKSA-7A ELPIDA 256MB DDR SDRAM SO DIMM (32M words x 64 bits, 2 Banks)

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