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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.8 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DXTP58100CFDB | DIODES |
获取价格 |
PNP, 100V, 2A, DFN2020-3 |
|
| DXTP5820CFDB | DIODES |
获取价格 |
PNP, 20V, 6A, DFN2020-3 |
|
| DXTP5840CFDB | DIODES |
获取价格 |
PNP, 40V, 4.8A, DFN2020-3 |
|
| DXTP5860CFDB | DIODES |
获取价格 |
PNP, 60V, 4A, DFN2020-3 |
|
| DXW21B | MURATA |
获取价格 |
Microchip Transformer (Balun) Wire Wound Type |
|
| DXW21BN2511NB | MURATA |
获取价格 |
RF TRANSFORMER, |
|
| DXW21BN7511 | MURATA |
获取价格 |
This reference specification applies to Micro Chip Transformer |
|
| DXW21BN7511S | MURATA |
获取价格 |
RF Transformer, 1000MHz Min, 1500MHz Max, |
|
| DXW21BN7511S# | MURATA |
获取价格 |
民用设备,植入式、手术、自动输药应用以外的医疗器械设备[GHTF A/B/C],运输、重工 |
|
| DXW21BN7511SB | MURATA |
获取价格 |
RF Transformer, 1000MHz Min, 1500MHz Max, |
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